ZTX415, Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX415
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX415, Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
3 310
+
Бонус: 66.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.77 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.25 at 10 mA at 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 10 mA at 10 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)260 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
партномер8004841822
pd - рассеивание мощности680 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияZTX415
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:02:01
Ширина2.41 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль