ZTX1149A, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain & Crnt

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX1149A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX1149A, Bipolar Transistors - BJT PNP High ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Single
continuous collector current:-3 A
dc current gain hfe max:270 at 10 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:135 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8004841821
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZTX1149
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:02:04
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль