Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Вес и габариты
длина
4.77 mm
Высота
4.01 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
280 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
280 at 10 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
4 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
17.5 V
непрерывный коллекторный ток
4 A
pd - рассеивание мощности
1 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
150 MHz
размер фабричной упаковки
4000
серия
ZTX1048
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка
Bulk
упаковка / блок
TO-92-3
вес, г
0.4536
вид монтажа
Through Hole
Ширина
2.41 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26