ZHB6790TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN, 2 PNP (H-мост) 40 В, 2 А, 100 МГц, 1,25 Вт, поверхностный монтаж SM-8
Вес и габариты
base product numberZHB6790 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN, 2 PNP (H-мост) 40 В, 2 А, 100 МГц, 1,25 Вт, поверхностный монтаж SM-8
Вес и габариты
base product numberZHB6790 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 1A, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
Высота 1.6 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 1 A, 2 V at NPN
конфигурацияQuad
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.75 V
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-8
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.25W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz, 150 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZHB6790
supplier device packageSM-8
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
упаковка / блокSM-8
vce saturation (max) @ ib, ic750mV @ 50mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль