ZHB6718TA, Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-20V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZHB6718TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT H-Bridge-20V
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| длина | 6.7 mm (Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 200 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V a |
| конфигурация | Quad |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| maximum collector base voltage | 20 V |
| maximum collector emitter voltage | 20 V |
| maximum dc collector current | 2.5 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 140 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 2 W |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 300 |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 20 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
| number of elements per chip | 4 |
| package type | SM |
| партномер | 8004674871 |
| pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| pin count | 8 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 140 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | ZHB6718 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Full Bridge |
| transistor type | NPN+PNP |
| упаковка / блок | SM-8 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:02:33 |
| Ширина | 3.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
