ZDT1053TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойной) 75 В, 5 А, 140 МГц, 2,75 Вт, поверхностный монтаж SM-8
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZDT1053 ->
configurationDual Dual Collector
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойной) 75 В, 5 А, 140 МГц, 2,75 Вт, поверхностный монтаж SM-8
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZDT1053 ->
configurationDual Dual Collector
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition140MHz
Высота 1.6 м
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.260
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)260 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@250mA@5A
maximum collector base voltage (v)150
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15@10mA@1A|0.44@250mA@5A|0.2@50mA@2A|0.1@50mA@1A|0.025@20mA@0.2A
maximum collector-emitter voltage (v)75
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2750
maximum transition frequency (mhz)140(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain30@5A@2V|150@2A@2V|300@1A@2V|260@10mA@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.75 V
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip2
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-8
package height1.6(Max)
package length6.7(Max)
package width3.7(Max)
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed8
pd - рассеивание мощности2.75 W
pin count8
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2.75W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZDT1053
supplier device packageSM-8
supplier packageSM8
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type2 NPN (Dual)
typeNPN
упаковка / блокSM-8
vce saturation (max) @ ib, ic440mV @ 250mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)75V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль