ZDT1053TA, Trans GP BJT NPN 75V 5A 2750mW 8-Pin SM8 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZDT1053TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZDT1053TA, Trans GP BJT NPN 75V 5A 2750mW ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 75V 5A 2750mW 8-Pin SM8 T/R
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZDT1053 ->
configurationDual Dual Collector
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition140MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.260
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)260 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@250mA@5A
maximum collector base voltage (v)150
maximum collector-emitter voltage (v)75
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2750
maximum transition frequency (mhz)140(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain260@10mA@2V|300@1A@2V|150@2A@2V|30@5A@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.75 V
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip2
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-8
packagingTape and Reel
партномер8000998818
part statusActive
pcb changed8
pd - рассеивание мощности2.75 W
pin count8
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2.75W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZDT1053
supplier device packageSM-8
supplier packageSM8
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type2 NPN (Dual)
typeNPN
упаковка / блокSM-8
vce saturation (max) @ ib, ic440mV @ 250mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)75V
Время загрузки0:04:24
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль