ZDT1049TA, Bipolar Transistors - BJT Dual 12V NPN HighG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZDT1049TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZDT1049TA, Bipolar Transistors - BJT Dual 12V ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:155 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Dual
continuous collector current:5 A
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:180 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SM-8
партномер8004841759
pd - power dissipation:2.75 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZDT1049
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:04:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль