ZDT1048TA, Bipolar Transistors - BJT Dual 17.5V NPN HighG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZDT1048TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZDT1048TA, Bipolar Transistors - BJT Dual ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
470
+
Бонус: 9.4 !
Бонусная программа
Итого: 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:17.5 V
configuration:Dual
continuous collector current:5 A
dc current gain hfe max:280
dc ток коллектора
dc усиление тока hfe250hFE
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов8вывод(-ов)
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер17.5В
package / case:SM-8
партномер8004841758
pd - power dissipation:2.75 W
полярность транзистораДвойной NPN
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
рассеиваемая мощность2.75Вт
series:ZDT1048
стандарты автомобильной промышленности-
стиль корпуса транзистораSM8
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:04:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль