VT6Z2T2R, Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VT6Z2T2R
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
| Дата загрузки | 19.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.1 V, -0.15 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
| configuration | Dual |
| dc collector/base gain hfe min | 120 |
| dc current gain hfe max | 560 at-1 mA at-6 V |
| другие названия товара № | VT6Z2 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 8000 |
| gain bandwidth product ft | 350 MHz, 300 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 560 at - 1 mA, - 6 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum dc collector current | 200 mA |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V, - 0.15 V |
| package / case | VMT-6 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8006364272 |
| pd - power dissipation | 150 mW |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 350 MHz, 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 8000 |
| rohs | Details |
| series | VT6Z2 |
| серия | VT6Z2 |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | NPN, PNP |
| упаковка / блок | VMT-6 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:41:57 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
