VT6Z1T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 20 В, 20 В, 200 мА, 200 мА, 150 мВт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VT6Z1T2R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm VT6Z1T2R, Массив биполярных транзисторов ...
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.5
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
74
+
Бонус: 1.48 !
Бонусная программа
Итого: 74
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.5
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
collector- base voltage vcbo20 V
collector-emitter saturation voltage120 mV
collector- emitter voltage vceo max20 V
configurationDual
continuous collector current200 mA
dc collector/base gain hfe min120
dc current gain hfe max560
dc ток коллектора200мА
dc усиление тока hfe120hFE
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity8000
gain bandwidth product ft350 MHz, 400 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов6вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerROHM Semiconductor
maximum dc collector current400 mA, -400 mA
maximum operating temperature+150 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер20В
package / caseVMT-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8003720789
part # aliasesVT6Z1
pd - power dissipation150 mW
полярность транзистораNPN, PNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
рассеиваемая мощность150мВт
seriesVT6Z1
стиль корпуса транзистораVMT
subcategoryTransistors
technologySi
transistor polarityNPN, PNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки22:25:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль