VP2206N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -4А, 740мВт, TO92
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VP2206N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 60V 0.9Ohm
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.22 |
| Высота | 5.33 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| base product number | VP2206 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 640mA (Tj) |
| длина | 5.21 mm |
| drain source on state resistance | 0.75Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 1000 |
| fall time | 22 ns |
| fet type | P-Channel |
| height | 5.33 mm |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | -640 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 640 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 450pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| length | 5.21 mm |
| линейка продукции | VP2206 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Microchip |
| maximum continuous drain current | 643 mA |
| maximum drain source resistance | 1.5 Ω |
| maximum drain source voltage | 60 V |
| maximum gate threshold voltage | 3.5V |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 60В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 640мА |
| number of channels | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| package type | TO-92 |
| packaging | Bulk |
| партномер | 8002656690 |
| pcn assembly/origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - power dissipation | 1 W |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| пороговое напряжение vgs | 3.5В |
| power dissipation | 740мВт |
| power dissipation (max) | 740mW (Tc) |
| product category | MOSFET |
| рассеиваемая мощность | 740мВт |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 900 mOhms |
| rds on (max) @ id, vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 16 ns |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | VP2206 |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.75Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-92 |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 4 ns |
| типичное время задержки выключения | 16 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| transistor material | Silicon |
| transistor polarity | P-Channel |
| transistor type | 1 P-Channel |
| Тип | FET |
| type | FET |
| typical turn-off delay time | 16 ns |
| typical turn-on delay time | 4 ns |
| unit weight | 0.016 oz |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | -60 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 10mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 16 ns |
| время спада | 22 ns |
| Время загрузки | 2:17:12 |
| Ширина | 4.19 мм |
| width | 4.19 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
