VN2460N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 600В, 250мА, 1Вт, TO92
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VN2460N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 600V 20Ohm
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.22 |
| Высота | 5.33 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N Channel |
| configuration | Single |
| длина | 5.21 mm |
| drain source on state resistance | 20Ом |
| factory pack quantity | 1000 |
| fall time | 20 ns |
| height | 5.33 mm |
| id - continuous drain current | 160 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| length | 5.21 mm |
| линейка продукции | VN2460 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Microchip |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 600В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 160мА |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | TO-92-3 |
| packaging | Bulk |
| партномер | 8002569736 |
| pd - power dissipation | 1 W |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| пороговое напряжение vgs | 4В |
| power dissipation | 1Вт |
| product category | MOSFET |
| рассеиваемая мощность | 1Вт |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 20 Ohms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms |
| rise time | 10 ns |
| rohs | Details |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 20Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-92 |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 25 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| Тип | FET |
| type | FET |
| typical turn-off delay time | 25 ns |
| typical turn-on delay time | 10 ns |
| unit weight | 0.00776 oz |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 600 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 20 ns |
| Время загрузки | 2:17:15 |
| Ширина | 4.19 мм |
| width | 4.19 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
