VN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VN0106N3-G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip VN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSi
maximum continuous drain current (a)0.35
maximum drain source resistance (mohm)3000@10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)02.04.2024
maximum idss (ua)1
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1000
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
number of elements per chip1
packagingBag
партномер8002580209
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
process technologyDMOS
product categoryPower MOSFET
standard package nameTO
supplier packageTO-92
typical fall time (ns)5
typical input capacitance @ vds (pf)55@25V
typical output capacitance (pf)20
typical rise time (ns)5
typical turn-off delay time (ns)6
typical turn-on delay time (ns)3
Время загрузки2:17:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль