UMZ1NT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor UMZ1NT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.25 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationDual
continuous collector current0.2 A
dc collector/base gain hfe min200
dc ток коллектора200мА
dc усиление тока hfe200hFE
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft114 MHz
height0.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
length2 mm
максимальная рабочая температура150 C
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.2 A
maximum operating temperature+ 150 C
minimum operating temperature- 55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер50В
package / caseSC-70-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8008462625
pd - power dissipation187 mW
полярность транзистораNPN, PNP
product categoryBipolar Transistors - BJT
product typeBJTs - Bipolar Transistors
рассеиваемая мощность250мВт
seriesUMZ1N
стиль корпуса транзистораSC-70
subcategoryTransistors
transistor polarityPNP
unit weight0.000988 oz
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:25:36
width1.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль