UMD4NTR, Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: UMD4NTR
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm UMD4NTR, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт, 120 мВт UMT6 для поверхностного монтажа
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product number*MD4 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce68 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut T
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8005266531
power - max150mW, 120mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)4.7kOhms, 10kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
series*
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageUMT6
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 10mA / 300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки1:45:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль