ULN2075B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
STMicroelectronics
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Вес и габариты
base product numberULN2075 ->
число контактов16
1 620
+
Бонус: 32.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Вес и габариты
base product numberULN2075 ->
число контактов16
current - collector (ic) (max)1.75A
длина20
eccnEAR99
Высота 5.1 мм
htsus8541.21.0095
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
количество элементов на ис4
конфигурацияQuad
максимальная рабочая температура+85 °C
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)80 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,5 В
максимальный непрерывный ток коллектора1,75 A
максимальный постоянный ток коллектора1.75 A
минимальная рабочая температура-20 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
непрерывный коллекторный ток1.5 A
operating temperature-20В°C ~ 85В°C (TA)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1968/C
packageTube
package / case16-PowerDIP (0.300"", 7.62mm)
pd - рассеивание мощности4.3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
размеры20 x 7.1 x 5.1мм
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияULN2075B
supplier device package16-PowerDIP (20x7.10)
тип корпусаPDIP
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип продуктаDarlington Transistors
тип транзистораNPN
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationОбщий эмиттер
transistor type4 NPN Darlington (Quad)
упаковкаTube
упаковка / блокPDIP-16
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 2.25mA, 1.5A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Ширина7.1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль