ULN2004AIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМатрица биполярных (BJT) транзисторов 7 NPN Darlington 50V 500mA сквозное отверстие 16-PDIP
Вес и габариты
base product numberULN2004 ->
current - collector cutoff (max)50ВµA
current - collector (ic) (max)500mA
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМатрица биполярных (BJT) транзисторов 7 NPN Darlington 50V 500mA сквозное отверстие 16-PDIP
Вес и габариты
base product numberULN2004 ->
current - collector cutoff (max)50ВµA
current - collector (ic) (max)500mA
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
packageTube
package / case16-DIP (0.300"", 7.62mm)
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q100 ->
supplier device package16-PDIP
transistor type7 NPN Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic1.6V @ 500ВµA, 350mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль