Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PWR MOS PD=25W F=1MHZ

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100

Все характеристики

390 ₽

– +

Бонус: 7.8 !

Бонусная программа

Итого: 390 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	4 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
непрерывный коллекторный ток	2 A
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz
размер фабричной упаковки	50
серия	TTD1409B
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-126N-3
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

TTD1409B,S4X