TTC5200(Q)
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 230V 15A 30MHz 150W сквозное отверстие TO-3P (L)
| Дата загрузки | 12.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Toshiba |
| Бренд | Toshiba |
| Основные | |
| automotive | No |
| base product number | 2SK3667 -> |
| collector-emitter breakdown voltage | 230V |
| configuration | Single |
| current - collector cutoff (max) | 5ВµA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 15A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 1A, 5V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| frequency - transition | 30MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Through Hole |
| максимальное напряжение коллектор-база | 230 В |
| максимальное рассеяние мощности | 150 Вт |
| максимальный пост. ток коллектора | 15 A |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 230 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 3@0.8A@8A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 230 |
| maximum dc collector current | 15A |
| maximum dc collector current (a) | 15 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 150000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 30(Typ) |
| minimum dc current gain | 80@1A@5V|35@7A@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tray |
| package / case | TO-3PL |
| партномер | 8006158880 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 150W |
| pin count | 3 |
| power - max | 150W |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| rohs status | RoHS Compliant |
| standard package name | TO |
| страна происхождения | CN |
| supplier device package | TO-3P(L) |
| supplier package | TO-3PL |
| tab | Tab |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 3V @ 800mA, 8A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 230V |
| Время загрузки | 23:55:21 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
