TTC4116FU,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TTC4116FU,LF
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
84
+
Бонус: 1.68 !
Бонусная программа
Итого: 84
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount USM
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTK1 ->
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 2mA, 6V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition80MHz
gain bandwidth product ft:80 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:150 mA
maximum operating temperature:+150 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8006755172
pd - power dissipation:100 mW
power - max100mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
rohs statusRoHS non-compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageUSM
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:55:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль