TTA006B,Q

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PWR TRANS TO-126N PC=10W F=1
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.320
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PWR TRANS TO-126N PC=10W F=1
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.320
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)230 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.230 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)70 MHz
размер фабричной упаковки250
серияTTA006B
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковкаTray
упаковка / блокTO-126N-3
вес, г0.84
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль