Транзистор ZX5T3ZTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZX5T3ZTA
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V
Вес и габариты
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberZX5T3 ->
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V
Вес и габариты
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberZX5T3 ->
collector- base voltage vcbo-50 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current-5.5 A
current - collector cutoff (max)20nA
current - collector (ic) (max)5.5A
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 500mA, 2V
длина:4.6 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo-7.5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
frequency - transition152MHz
gain bandwidth product ft152 MHz
hts8541.29.00.75
htsus8541.29.0075
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
конфигурация:Single
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:5.5 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1.075@550mA@5.5A|0.9@40mA@2A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.03@10mA@0.1A|0.165@10mA@1A|0.185@550mA@5.5A|0.06@100mA@1A|0.08@200mA@2A|0.175@175mA@3.5A|0.07@50mA@1A|0.175@40mA@2A
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current5.5 A
maximum dc collector current (a)5.5
maximum emitter base voltage (v)7.5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)152(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура:- 55 C
minimum dc current gain170@2A@2V|110@5.5A@2V|200@10mA@2V|200@500mA@2V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):- 7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):- 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:40 V
непрерывный коллекторный ток:- 5.5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package height1.6(Max)
package length4.6(Max)
package width2.6(Max)
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation3000 mW
pd - рассеивание мощности:3000 mW
pin count4
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:PNP
power - max2.1W
product categoryBipolar Power
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):152 MHz
производитель:Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesZX5T3
серия:ZX5T3
ширина:2.6 mm
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-89-3
supplier packageSOT-89
tabTab
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Diodes Incorporated
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блок:SOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic185mV @ 550mA, 5.5A
вид монтажа:SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
высота:1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль