Транзистор полевой STF14NM50N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF14NM50N
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics Транзистор полевой STF14NM50N
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ТранзисторыМОП-транзистор N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.95
id - непрерывный ток утечки12 A
канальный режимEnhancement
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
кол-во в упаковке50
коммерческое обозначениеMDmesh
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current12 A
maximum continuous drain current (a)12
maximum drain source resistance320 mΩ
maximum drain source resistance (mohm)320@10V
maximum drain source voltage500 V
maximum drain source voltage (v)500
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage-25 V, +25 V
maximum gate source voltage (v)±25
maximum gate threshold voltage4V
maximum gate threshold voltage (v)4
maximum idss (ua)1
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation25 W
maximum power dissipation (mw)25000
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum gate threshold voltage2V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package height16.4(Max)
package length10.4(Max)
package typeTO-220FP
package width4.6(Max)
packagingTube
партномер8010872621
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности25 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
process technologyMDmesh II
product categoryPower MOSFET
qg - заряд затвора27 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток320 mOhms
seriesMDmesh
серияSTF14NM50N
способ монтажаThrough Hole
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220FP
tabTab
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения42 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel Power MOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor materialSi
транспортная упаковка: размер/кол-во58*46*54/500
ТипMOSFET
typical fall time (ns)22
typical gate charge @ 10v (nc)27
typical gate charge @ vgs27 nC @ 10 V
typical gate charge @ vgs (nc)27@10V
typical input capacitance @ vds (pf)816@50V
typical rise time (ns)16
typical turn-off delay time (ns)42
typical turn-on delay time (ns)12
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания16 ns
время спада22 ns
Время загрузки14:02:12
width4.6mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль