Вес и габариты | |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 2.6A |
крутизна характеристики s,а/в | 3.4 |
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | -1.1 |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 1.3W |
rds on - drain-source resistance | 135mО© @ 2.6A,4.5V |
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 135 |
температура, с | -55…+150 |
transistor polarity | P Channel |
vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
vgs - gate-source voltage | 1.1V @ 10uA |