Транзистор IRF510PBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF510PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ТранзисторыМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET D2-PAK
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| base product number | IRF510 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 5.6A |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 5.6A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8.3nC @ 10V |
| hts | 8541.29.00.95 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 180pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1.3 S |
| крутизна характеристики s,а/в | 1.3 |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| maximum continuous drain current (a) | 5.6 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 540@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 25 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 43000 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| other related documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| package height | 9.01(Max) |
| package length | 10.41(Max) |
| package width | 4.7(Max) |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 43 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 43W (Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 43W |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 540mО© @ 3.4A,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | IRF |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 540 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier device package | TO-220AB |
| supplier package | TO-220AB |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| температура, с | -55…+175 |
| типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| transistor polarity | N Channel |
| typical fall time (ns) | 9.4 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 8.3(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 8.3(Max)@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 180@25V |
| typical rise time (ns) | 16 |
| typical turn-off delay time (ns) | 15 |
| typical turn-on delay time (ns) | 6.9 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 16 ns |
| время спада | 9.4 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26