Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7913DN-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
| Дата загрузки | 12.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.1 |
| Высота | 1.04 mm |
| Высота | 1.04 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Бренд | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P |
| configuration | Dual Dual Drain |
| длина | 3.3 mm |
| другие названия товара № | SI7913DN-GE3 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| hts | 8541.29.00.95 |
| id - непрерывный ток утечки | 7.4 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| конфигурация | Dual |
| lead shape | No Lead |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 37@4.5V |
| maximum drain source voltage (v) | 20 |
| maximum gate source voltage (v) | ±8 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1300 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 2 |
| package height | 1.07(Max) |
| package length | 03.05.2024 |
| package width | 03.05.2024 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8004208500 |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| pin count | 8 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| process technology | TrenchFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 24 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
| серия | SI7 |
| standard package name | PowerPAK 1212 |
| supplier package | PowerPAK 1212 |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| typical fall time (ns) | 150 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 15.3@4.5V |
| typical rise time (ns) | 70 |
| typical turn-off delay time (ns) | 72 |
| typical turn-on delay time (ns) | 20 |
| упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 23:10:41 |
| Ширина | 3.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
