Транзистор биполярный BC868-25.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC868-25.115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP Транзистор биполярный BC868-25.115
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
base product numberBC868 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce160 @ 500mA, 1V
длина4.6 mm
другие названия товара №BC868-25 T/R
eccnEAR99
frequency - transition170MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.160 at 500 mA at 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160 at 500 mA at 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage32 V
maximum collector emitter voltage20 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.35 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8009050420
pd - рассеивание мощности1000 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)60 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки1:23:19
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль