TP0604N3-G, Транзистор P-МОП, -40В, -2А, 740мВт, TO92
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TP0604N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
P-канал 40V 430mA (Tj) 740mW (Ta) сквозное отверстие TO-92-3
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.22 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| base product number | TP0604 -> |
| channel mode: | Enhancement |
| channel type | P Channel |
| configuration: | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 430mA (Tj) |
| drain source on state resistance | 1.5Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 40V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| fall time: | 6 ns |
| fet type | P-Channel |
| forward transconductance - min: | 400 mS |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current: | 430 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 150pF @ 20V |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| manufacturer: | Microchip |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 40В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 430мА |
| number of channels: | 1 Channel |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| package / case: | TO-92-3 |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8002610828 |
| pcn assembly/origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - power dissipation: | 740 mW |
| полярность транзистора | P Канал |
| пороговое напряжение vgs | 2.4В |
| power dissipation | 740мВт |
| power dissipation (max) | 740mW (Ta) |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| рассеиваемая мощность | 740мВт |
| rds on - drain-source resistance: | 2 Ohms |
| rds on (max) @ id, vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time: | 7 ns |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 1.5Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-92 |
| subcategory: | MOSFETs |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | P-Channel |
| transistor type: | 1 P-Channel |
| typical turn-off delay time: | 10 ns |
| typical turn-on delay time: | 5 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 40 V |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 1 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 1mA |
| Время загрузки | 2:13:59 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
