TN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TN0106N3-G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip TN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistorsN-канал 60 В 350 мА (Tj) 1 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-92-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
base product numberTN0106 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c350mA (Tj)
drain current0.35A
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds60pF @ 25V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingTHT
mounting typeThrough Hole
on-state resistance
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
партномер8002679794
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
power dissipation1W
power dissipation (max)1W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3Ohm @ 500mA, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-92-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2V @ 500ВµA
Время загрузки2:14:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль