TIP50, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP50
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 9.15мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Бренд | STMicroelectronics |
| Основные | |
| частота перехода ft | 10МГц |
| число контактов | 3 |
| collector- base voltage vcbo | 500 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 400 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 30 |
| dc current gain hfe max | 150 |
| dc усиление тока hfe | 150hFE |
| длина | 10.4мм |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 10 MHz |
| height | 9.15 mm(Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| length | 10.4 mm(Max) |
| максимальная рабочая частота | 10 MHz |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 500 В |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 400 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный пост. ток коллектора | 1 А |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | -65 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 10 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| package / case | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| партномер | 8004831247 |
| pd - power dissipation | 40 W |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 40Вт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| размеры | 9.15 x 10.4 x 4.6мм |
| rohs | Details |
| series | 500V Transistors |
| стиль корпуса транзистора | TO-220 |
| тип корпуса | TO-220 |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип транзистора | NPN |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | NPN |
| unit weight | 0.211644 oz |
| Время загрузки | 13:54:01 |
| Ширина | 4.6 мм |
| width | 4.6 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
