TIP47, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP47
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics TIP47, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo350 V
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max250 V
collector- emitter voltage vceo max:250 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current1 A
continuous collector current:1 A
dc collector/base gain hfe min30
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe max150
dc current gain hfe max:150
emitter- base voltage vebo5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity1000
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft10 MHz
gain bandwidth product ft:10 MHz
height9.15 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.4 mm(Max)
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum collector base voltage350 V
maximum collector emitter voltage250 V
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current:1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency10 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation2 W
minimum dc current gain30
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package/case:TO-220-3
package typeTO-220
packagingTube
packaging:Tube
партномер8004831246
pd - power dissipation40 W
pd - power dissipation:40 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
rohsDetails
series500V Transistors
series:TIP47
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
unit weight0.211644 oz
Время загрузки13:54:01
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль