TIP42C
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 100V 6A 65W Through Hole TO-220AB
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Бренд | STMicroelectronics |
| Основные | |
| base product number | TIP42 -> |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector- base voltage vcbo: | 100 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 100V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.5 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.5 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 100 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 6 A |
| current - collector cutoff (max) | 700ВµA |
| current - collector (ic) (max) | 6A |
| dc collector/base gain hfe min | 15 |
| dc collector/base gain hfe min: | 15 |
| dc current gain hfe max | 75 |
| dc current gain hfe max: | 75 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 15 @ 3A, 4V |
| длина: | 10.4 mm |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | -5 V |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| htsus | 8541.29.0095 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.: | 75 |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| manufacturer: | STMicroelectronics |
| maximum dc collector current | 6A |
| maximum dc collector current: | 6 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 65 W |
| minimum operating temperature | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo): | - 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo): | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.5 V |
| непрерывный коллекторный ток: | 6 A |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| package / case: | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| packaging: | Tube |
| партномер | 8006087792 |
| pd - power dissipation | 65W |
| pd - power dissipation: | 65 W |
| pd - рассеивание мощности: | 65 W |
| power - max | 65W |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft): | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки: | 1000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | TIP42C |
| series: | TIP42C |
| ширина: | 4.6 mm |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | TO-220AB |
| technology: | Si |
| технология: | Si |
| transistor polarity | PNP |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 100V |
| Время загрузки | 13:54:05 |
| высота: | 9.15 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
