TIP42A, TIP42A PNP Transistor, -6 A, -60 V, 3-Pin TO-220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP42A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics TIP42A, TIP42A PNP Transistor, -6 A, -60 V ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsA broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberTIP42 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.5 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current6 A
current - collector cutoff (max)700ВµA
current - collector (ic) (max)6A
dc collector/base gain hfe min15
dc current gain hfe max75
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce15 @ 3A, 4V
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.75
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
length10.4 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum dc collector current-6 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation65 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain15
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package typeTO-220
packagingTube
партномер8014494164
pd - power dissipation65 W
pd - рассеивание мощности65 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
серияTIP42A
supplier device packageTO-220AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 600mA, 6A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки13:54:06
Ширина4.6 мм
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль