| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 2.041 |
| Высота | 9.28 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | Yes |
| частота перехода ft | 3МГц |
| collector- base voltage vcbo | 60 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.5 V |
| collector emitter voltage max | 60В |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 6 A |
| dc collector/base gain hfe min | 30 |
| dc current gain hfe min | 15hFE |
| dc усиление тока hfe | 15hFE |
| длина | 10.28 mm (Max) |
| eccn (us) | ear99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 50 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| height | 9.28 mm(Max) |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| length | 10.28 mm(Max) |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 60 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1.5@600mA@6A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current | 6 A |
| maximum dc collector current (a) | 6 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 30@300mA@4V|15@3A@4V |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-220-3 |
| package height | 9.28(Max) |
| package length | 10.53(Max) |
| package width | 4.83(Max) |
| packaging | Tube |
| партномер | 8002988107 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 65 W |
| pd - рассеивание мощности | 65 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 65Вт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rohs | Details |
| series | TIP41 |
| серия | TIP41 |
| standard package name | TO-220 |
| стиль корпуса транзистора | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| unit weight | 0.211644 oz |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:59:14 |
| Ширина | 4.82 м |
| width | 4.82 mm(Max) |