TIP41AG, Bipolar Transistors - BJT 6A 60V 65W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP41AG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP41AG, Bipolar Transistors - BJT 6A 60V 65W NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Высота9.28 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 6A 60V 65W NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Высота9.28 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveYes
частота перехода ft3МГц
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.5 V
collector emitter voltage max60В
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current
dc collector/base gain hfe min30
dc current gain hfe min15hFE
dc усиление тока hfe15hFE
длина10.28 mm (Max)
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity50
gain bandwidth product ft3 MHz
height9.28 mm(Max)
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
length10.28 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.5@600mA@6A
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current6 A
maximum dc collector current (a)6
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain30@300mA@4V|15@3A@4V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package height9.28(Max)
package length10.53(Max)
package width4.83(Max)
packagingTube
партномер8005377034
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation65 W
pd - рассеивание мощности65 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation65Вт
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки50
rohsDetails
seriesTIP41
серияTIP41
standard package nameTO-220
стиль корпуса транзистораTO-220
supplier packageTO-220AB
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityNPN
typeNPN
unit weight0.211644 oz
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:48:54
Ширина4.82 м
width4.82 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль