Name: TIP33CG, Trans GP BJT NPN 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Brand: ON Semiconductor***
SKU: TIP33CG

TIP33CG, Trans GP BJT NPN 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP33CG, Trans GP BJT NPN 100V 10A 80000mW ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

360 ₽

– +

Бонус: 7.2 !

Бонусная программа

Итого: 360 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-218-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20hFE; Transistor Case Style:TO-218; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:TIPxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	Yes
collector- base voltage vcbo	100 V
collector-emitter saturation voltage	1 V
collector- emitter voltage vceo max	100 V
configuration	Single
continuous collector current	10 A
dc collector/base gain hfe min	40
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo	5 V
eu rohs	Compliant
factory pack quantity	30
gain bandwidth product ft	3 MHz
height	16.2-4 mm(Max)
hts	8541.29.00.95
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Through Hole
length	15.2 mm(Max)
manufacturer	ON Semiconductor
material	Si
maximum collector base voltage	100 V dc
maximum collector base voltage (v)	100
maximum collector cut-off current	0.7mA
maximum collector emitter saturation voltage	4 V dc
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	4@2.5A@10A\|1@0.3A@3A
maximum collector emitter voltage	100 V dc
maximum collector-emitter voltage (v)	100
maximum continuous collector current	10(Continuous)A, 15(Peak)A
maximum dc collector current	10 A
maximum dc collector current (a)	10
maximum emitter base voltage	5 V dc
maximum emitter base voltage (v)	5
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	80 W
maximum power dissipation (mw)	80000
maximum transition frequency (mhz)	3(Min)
military	No
minimum dc current gain	40@1A@4V\|20@3A@4V
minimum operating temperature	-65 C
minimum operating temperature (°c)	-65
mounting	Through Hole
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package / case	TO-247-3
package height	21.08(Max)
package length	16.26(Max)
package type	TO-218
package width	5.3(Max)
packaging	Tube
партномер	8003198244
part status	Active
pcb changed	3
pd - power dissipation	80 W
pin count	3
product category	Bipolar Power
rohs	Details
series	TIP33C
standard package name	TO-247
supplier package	TO-247
tab	Tab
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
type	NPN
unit weight	0.229281 oz
Время загрузки	0:51:36
width	4.9 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)TIP33CG