Name: TIP31G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP31G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.766
Высота	15.75 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

250 ₽

– +

Бонус: 5 !

Бонусная программа

Итого: 250 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 40V, 3A, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.766
Высота	15.75 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	40 V
collector-emitter saturation voltage	1.2 V
collector- emitter voltage vceo max	40 V
configuration	Single
continuous collector current	3 A
dc collector/base gain hfe min	25
длина	10.53 mm
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	50
gain bandwidth product ft	3 MHz
height	15.75 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
конфигурация	Single
length	10.53 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	40 V dc
maximum collector emitter voltage	40 V dc
maximum dc collector current	3 A
maximum emitter base voltage	5 V dc
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	40 W
минимальная рабочая температура	65 C
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
непрерывный коллекторный ток	3 A
number of elements per chip	1
package / case	TO-220-3
package type	TO-220
packaging	Tube
партномер	8006792209
pd - power dissipation	40 W
pd - рассеивание мощности	40 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	3 MHz
размер фабричной упаковки	50
rohs	Details
series	TIP31A
серия	TIP31A
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
unit weight	0.211644 oz
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:59:16
Ширина	4.83 мм
width	4.83 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)TIP31A TIP31G