| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 3.25 |
| Высота | 15.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.2 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 3 A |
| dc collector/base gain hfe min | 25 |
| длина | 10.53 mm |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 50 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| height | 15.75 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| конфигурация | Single |
| length | 10.53 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector emitter voltage | 100 V |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 3 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 40 W |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 10 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-220-3 |
| package type | TO-220AB |
| packaging | Tube |
| партномер | 8016246496 |
| pd - power dissipation | 40 W |
| pd - рассеивание мощности | 40 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rohs | Details |
| series | TIP31C |
| серия | TIP31C |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| unit weight | 0.211644 oz |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 2:01:44 |
| Ширина | 4.83 мм |
| width | 4.83 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
