TIP31BG, Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP31BG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP31BG, Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
dc collector/base gain hfe min:25
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:50
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-220-3
packaging:Tube
партномер8004652570
pd - power dissipation:40 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:TIP31B
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:51:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль