TIP31A, Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP31A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics TIP31A, Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
configurationSingle
continuous collector current
dc усиление тока hfe50hFE
длина10.4 mm (Max)
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
materialSi
maximum collector base voltage60 V
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2@375mA@3A
maximum collector emitter voltage60 V
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation2 W
maximum power dissipation (mw)2000
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain25@1A@4V|10@3A@4V
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
package typeTO-220
packagingTube
партномер8001003508
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности40 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation40Вт
ppapNo
product categoryBipolar Power
размер фабричной упаковки1000
серияTIP31A
standard package nameTO
стиль корпуса транзистораTO-220
supplier packageTO-220AB
supplier temperature gradeIndustrial
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки13:55:49
Ширина4.6 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль