TIP29CG, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 1А, 30Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP29CG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP29CG, Транзистор NPN, биполярный, 100В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.99
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.99
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage0.7 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max100 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current1 A
continuous collector current:1 A
dc collector/base gain hfe min40
dc collector/base gain hfe min:40
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity50
factory pack quantity: factory pack quantity:50
gain bandwidth product ft3 MHz
gain bandwidth product ft:3 MHz
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeThrough Hole
length10.53 mm
manufacturerON Semiconductor
manufacturer:onsemi
materialSi
maximum collector base voltage100 V dc
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.7 125mA 1A
maximum collector emitter voltage100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current:1 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation30 W
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
minimum dc current gain40 200mA 4V|15 1A 4V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature:-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package / case:TO-220-3
package typeTO-220
packagingTube
packaging:Tube
партномер8002516923
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2 W
pd - power dissipation:30 W
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
rohsDetails
seriesTIP29C
series:TIP29C
standard package nameTO-220
subcategory:Transistors
supplier packageTO-220AB
tabTab
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
unit weight0.211644 oz
Время загрузки0:51:52
width4.83 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль