TIP29BG, Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP29BG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP29BG, Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1A 80V 30W NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.53 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8006223710
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки50
серияTIP29B
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:51:08
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль