TIP29B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP29B TIN/LEAD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central TIP29B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:50
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005050251
pd - power dissipation:30 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:23:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль