TIP115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics TIP115
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор PNP - Darlington 60V 2A 2W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberTIP115 ->
collector current2A
current - collector cutoff (max)2mA
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce1000 @ 1A, 4V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerSTMicroelectronics
maximum collector base voltage60 V
maximum collector cut-off current1mA
maximum collector emitter saturation voltage2.5 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum continuous collector current2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
minimum dc current gain500
minimum operating temperature-65 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingTHT
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package typeTO-220
партномер8024105009
pin count3
power dissipation50W
power - max2W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-220AB
transistor configurationSingle
transistor typePNP - Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic2.5V @ 8mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки13:54:44
width4.6mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль