The Toshiba bipolar transistor made up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.
Дата загрузки
12.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.019
Информация о производителе
Производитель
Toshiba
Бренд
Toshiba
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage
50 V
maximum dc collector current
200 mA
minimum dc current gain
200
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-23
партномер
8007384224
pin count
3
transistor type
NPN
Время загрузки
23:47:08
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26