SXTA42TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SXTA42TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes SXTA42TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc current gain hfe max:25 at 1 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:50 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8004841755
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:SXTA42
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:26:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль