STT818B, Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STT818B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics STT818B, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base part numberSTT818B
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:210 mV
collector- emitter voltage vceo max:30 V
configuration:Single
continuous collector current:-3 A
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 1V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseSOT-23-6
package/case:SOT-23-6
packagingTape & Reel(TR)
партномер8004584112
part statusActive
pd - power dissipation:1.2 W
power - max1.2W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series-
series:STT818B
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-23-6L
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 20mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки13:55:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль