Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT POWER MOSFET

Подробное описание

320 ₽

– +

Бонус: 6.4 !

Бонусная программа

Итого: 320 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	4.95 mm
Высота	4.95 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
pd - рассеивание мощности	1.1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz
размер фабричной упаковки	2000
серия	STSA1805
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Ammo Pack
упаковка / блок	TO-92-3
вес, г	0.4536
вид монтажа	Through Hole
Ширина	3.94 мм

Отзывов нет

Кнопки

STSA1805-AP