STN851-A, Bipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STN851-A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics STN851-A, Bipolar Transistors - BJT Low ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Low voltage NPN Power Transistor
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberSTN851 ->
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 2A, 1V
eccnEAR99
frequency - transition130MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальный постоянный ток коллектора5 A
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток5 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
партномер8004830037
pd - рассеивание мощности1.6 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.6W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияSTN851-A
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 200mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки13:56:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль